基于状态空间法的非理想Boost电路开环建模
3 仿真及测试结果
选取Vg=12 V，L=330μH，C=47μF，RL=12 Ω开关频率300 kHz，实测rC=50．1 mΩ，rL=53．2 mΩ。采用SG3525芯片产生PWM脉冲驱动MOSFET，占空比调节范围0～50％。选取几个典型占空比进行仿真，仿真得到的输出电压波形如图4和图5所示。
在不同占空比下输出电压的对比关系如表1所示。
表1中U1为状态空间法仿真输出电压值，U2为电路仿真输出电压有效值，U3为实测电压有效值。
4 结语
本文应用状态空间平均法对电流连续模式下的非理想Boost变换器进行了开环状态下的建模和仿真。将开关函数引入到状态空间模型中，使变换器不同工作状态下的状态方程具有统一的形式，且使状态方程的物理意义更加明确。从电路模型仿真和状态空间法仿真结果可以发现，在满足低频假设，小纹波假设和小信号假设的前提下，应用状态空间平均法的仿真结果与电路模型的仿真结果具有一致性，验证了建模方法的正确性，对变换器的设计有一定指导意义。
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