电子产品世界

根据摩根士丹利的最新报告，全球内存市场在 2025 年将迎来一次前所未有的供需失衡，这一现象主要由人工智能技术的快速发展和过去两年内存行业资本支出不足所驱动。

报告预计，2025 年 HBM（高带宽内存）的供应不足率将达到-11%，而整个 DRAM 市场的供应不足率将高达-23%，特别是 HBM 的需求量预计将大幅增加，可能占总 DRAM 供应的 30%。

这一供需失衡的情况预示着内存价格的显著上涨，报告中指出，商品存储产品的价格在 2024 年将以每季度两位数的速度上涨，而 2025 年 HBM 的价格将更高，服务器 DRAM 和超高密度 QLC 固态硬盘将引领这一价格上涨趋势。

内存市场的这一「超级周期」将为行业内的战略地位公司如 SK 海力士和三星带来市场份额的进一步增长。

摩根士丹利已将这两家公司的 2024-2025 年的每股收益预测提高了 24%-82%，较最新的预期共识高出 51%-54%。

SK 海力士预计将在 2025 年占据 HBM 市场的最大份额，其股票目标价被提高 11% 至 30 万韩元，而三星电子的目标价被提高至 10.5 万韩元。

内存市场的这一轮超级周期与以往有所不同，由于当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平，自 2022 年第三季度以来产能一直在下降。

这种投资的缺乏正发生在内存供应链迅速转移到 HBM 之际，HBM 的生产每比特所需的晶圆容量是普通 DRAM 的两倍，其生产良率也较低，进一步加剧了供需失衡的情况。

三大内存厂加紧布局 HBM

SK 海力士公布了 HBM 发展路线图，该公司副总裁 Kim Chun-hwan 透露，计划在 2024 上半年量产 HBM3e，并向客户交付 8 层堆叠样品，在 6 层堆栈 HBM3e 配置中，每层堆栈可提供 1.2 TB/s 的通信带宽，8 层堆叠将进一步提升 HBM 内存的带宽。

Kim Chun-hwan 表示，在不断升级的客户期望的推动下，存储行业正在面临激烈的生存竞争。随着制程工艺节点的缩小接近极限，存储器厂商越来越关注新一代存储架构和工艺，以给客户应用系统提供更高的性能。为此，SK 海力士已经启动了 HBM4 的开发，计划于 2025 年提供样品，并于次年量产。

根据美光提供的信息，与前几代 HBM 相比，HBM4 每层堆栈的理论峰值带宽将超过 1.5 TB/s。为了实现这样的带宽，在保持合理功耗的同时，HBM4 的目标是实现大约 6GT/s 的数据传输速率。

三星也有发展 HBM4 的时间表，计划于 2025 年提供样品，并于 2026 年量产。据三星高管 Jaejune Kim 透露，该公司 HBM 产量的一半以上是定制化产品，未来，定制 HBM 方案的市场规模将进一步扩大。通过逻辑集成，量身定制的 HBM 对于满足客户个性化需求至关重要。

三星和 SK 海力士之间的竞争正在升温。

一些市场观察人士表示，三星在 HBM 芯片开发方面落后于 SK 海力士，为了在新接口标准 CXL 开发中占据优势地位，三星加快了技术研发和产品布局。

SK 海力士表示，计划加大对高带宽内存和 DDR5 芯片的投资，以适应人工智能市场的增长需求。「与 2023 年相比，2024 年的资本支出将有所增加。……我们将最大限度地提升资金利用效率」，SK 海力士副总裁兼首席财务官金宇贤表示：「在 2023 年投资金额的范围内，我们根据产品优先顺序调整了资本支出，2024 年，我们将更多地关注转换制程工艺，而不只是增加产能。」

金宇贤表示，SK 海力士将努力扩大第四代和第五代 10nm 级制程内存芯片的比例，到 2024 年底，这些新品将占据该公司 DRAM 产量的一半以上。不过，他表示，要达到 2022 年第四季度的产能水平，还需要相当长时间。

SK 海力士对引领 HBM 市场充满信心，预测未来 5 年的年均增长率将达到 60%~80%。该公司 DRAM 营销主管 Park Myung-soo 表示：「我们 2024 年的 HBM3 和 HBM3e 芯片产能已经售罄。根据客户和市场观察人士的说法，我们的 HBM3 产能份额非常高。」

据 TrendForce 统计，2023 年第三季度，SK 海力士挤下三星电子，成为全球最大的服务器 DRAM 厂商。报告显示，2023 年第三季度，SK 海力士服务器 DRAM 销售额达到 18.5 亿美元，拿下 49.6% 的市场份额，稳居全球龙头宝座，排名第二的三星电子，在该季度的服务器 DRAM 销售额为 13.13 亿美元，市占率为 35.2%，同期内，美光的服务器 DRAM 销售额为 5.6 亿美元，市占率为 15.0%，排名第三。

需要指出是，以上统计数字仅是传统服务器搭载的 DDR5 内存，不包括用于 AI 服务器的 HBM，若将 HBM 销售计算在内，SK 海力士领先三星电子的幅度会更大。

就整体 DRAM 模块市场而言，三星电子仍稳居 DRAM 霸主地位，但 SK 海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率为 21.5%。

排名内存行业第三位的美光也在加紧布局 AI 服务器市场，该公司计划在 2024 年第一季度量产 HBM3e，以抢攻英伟达的超级计算机 DGX GH200 商机。美光技术开发事业部资深副总裁 Naga Chandrasekaran 表示，采用 EUV 技术量产的 1-gamma 制程产品，正在研发过程中，预计于 2025 年量产。

业界人士指出，在 HBM 产品开发方面，虽然美光落后三星和 SK 海力士近一年时间，但在新一代 HBM3e 产品开发和量产进度方面，该公司加快了节奏，有望在 HBM 竞赛中扳回一城。

关键词： 内存

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