HBM火热效应 DRAM下半年 可望供不应求
三星、SK海力士及美光等国际内存巨擘，皆积极投入高带宽内存（HBM）制程，法人表示，在产能排挤效应下，下半年DRAM产品恐供不应求，预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。
据TrendForce研究，DRAM原厂提高先进制程投片，产能提升将集中今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片，至年底将占DRAM总投片比重约40％。
由于HBM获利表现佳，加上需求续增，生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看，2024年HBM3e将是市场主流，集中在2024年下半年出货。
SK海力士依旧是主要供货商，与美光均采1beta nm制程，两家业者现已出货辉达（NVIDIA）；三星则采用1alpha nm制程，预期2024年第二季完成验证，于年中开始交付。
PC、服务器、智能型手机三大应用单机搭载容量增长，对先进制程的消耗量也逐季提升，其中，又以服务器容量提升最高，随着Intel、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量产后，其内存规格仅能采用DDR5，预期2024年DDR5渗透率至年底将逾50％。
HBM3e出货将集中下半年，期间同属内存需求旺季，DDR5与LPDDR5（X）预期需求也将看增。在HBM投片比重扩大的情况下，将使得产出有限，下半年产能配置，将会是供给是否充足的关键。
三星现有厂房年底产能大致满载，新厂房P4L规划于2025年完工，同时Line15厂区将进行制程转换，由1Ynm转换至1beta nm以上。
SK海力士M16产能将于2025年扩大，M15X规划于2025年完工，并于年底量产。美光中国台湾厂区估2025年恢复满载，后续产能扩张将以美国为主，Boise厂区2025年完工并陆续移机，并计划2026年量产。
由于NVIDIA GB200将于2025年放量，其规格为HBM3e 192／384GB，预期HBM产出将接近翻倍，各原厂将投入HBM4研发，因各家产能规划皆以HBM为优先，在产能排挤效应下，DRAM产品恐供应不及。
关键词： HBM DRAM TrendForce
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