三星否认自家 HBM 内存芯片未通过英伟达测试
5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。
不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。
三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的 HBM3E上，三星并未像竞争对手SK海力士、美光那样采用1b nm制程DRAM裸片，而是仍使用1a nm颗粒，在能耗方面处于劣势。加上本次出现的相关负面舆论，这导致一些分析师怀疑三星“是否有能力从 SK海力士处迅速夺回市场份额”。
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