非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法
降低的新型工艺与提高迁移 率同时开发，以避免相互抵消。
图14：因迁移率增强，驱动电流增强及作为Lg应变硅函数之一的Rsd/Rch加速了Rsd/Rch的增长，导致返回的驱动电流逐渐减小。
本文小结
我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法，这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点，新型晶体管结构和材料拓展了性能功耗设计空间，使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终，通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层，晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。
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