D类MOSFT在发射机射频功放中的应用
3 MOSFET器件的维护和存储
图7所示为IRFP360的外型及表示符号。它的特点，一是具有隔离式的中心装配孔，并有重复性的雪崩定额；二是漏源之间并联有反向二极管，其电压变化率定额很大而且驱动电路比较简单，此外，同型号的管子并联也很容易。然而，由于MOS管的栅极输人阻抗较高，容易产生较高的感应电压，从而导致栅极易击穿，所以在维护中应特别注意。
图7所示为IRFP360的外型及表示符号。它的特点，一是具有隔离式的中心装配孔，并有重复性的雪崩定额；二是漏源之间并联有反向二极管，其电压变化率定额很大而且驱动电路比较简单，此外，同型号的管子并联也很容易。然而，由于MOS管的栅极输人阻抗较高，容易产生较高的感应电压，从而导致栅极易击穿，所以在维护中应特别注意。
一般情况下，应将MOS管存放在防静电包装袋内，或在各极短路的情况下保存。同时对存放库房应注意除尘，保持库房的清洁。在取用和安装过程中，应带好防静电手镯。更换管子时，应将新管的源极(S)接地，并使用防静电烙铁或焊接时拔掉烙铁的电源插头，并快速焊接。
4 结束语
利用MOS管的开关特性可使射频功率放大器工作于D类开关状态，以便提高整机效率、改善技术指标。希望通过本文的分析，为MOSFET的使用维护带来一些启迪。
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