D类MOSFT在发射机射频功放中的应用
DX一200型DAM发射机射频功放模块中使用的MOS管型号为IRFP360，它们都工作于D类开关状态，即在射频周期的半个周期饱和导通，相当于开关闭合；而在另半个周期截止，相当于开关断开。每个功放模块共使用八只MOS管，被接成桥式组态。来自调制编码器的信号可用来控制射频功放模块的接通／关断。每两个MOS管组成一个开关。电路中共有四个由MOS管组成的开关。其中，Q1／Q3与Q6／Q8的射频激励信号相位相同，图3中标示为0°；Q2／Q4和Q5／Q7的射频激励信号同相位，图3中标示为180°。可见，桥式组态的MOS管为交替导通状态，并且其交替频率就是射频激励信号的频率，即发射机的载波频率。
2．1 全桥组态工作原理
图4所示为射频放大器的全桥组态，即四对MOS管用作开关。射频激励信号的相位情况是当射频功放模块接通时，这些开关中只有两个可以组合起来。并且，在激励信号的正半周，标示为0°的MOS管处于正半周，标示为180°的MOS管处于负半周。
2．1 全桥组态工作原理
图4所示为射频放大器的全桥组态，即四对MOS管用作开关。射频激励信号的相位情况是当射频功放模块接通时，这些开关中只有两个可以组合起来。并且，在激励信号的正半周，标示为0°的MOS管处于正半周，标示为180°的MOS管处于负半周。
在射频周期的负半周，Ql／Q3和Q6／Q8处于截止状态，相当于开关断开；Q2／Q4和QS／Q7则是饱和导通的，相当于开关接通。Q2／Q4和QS／Q7串联导通电源电压为+V，若忽略MOS管的饱和压降，+V将全部降落在合成变压器上。在射频周期的正半周，Q1／Q3和Q6／Q8处于导通状态，Q2／Q4和QS／Q7为截止状态。Ql／Q3和Q6／Q8串联导通电源电压+V，+V全部降落在合成变压器上。由图4可见，合成变压器初级电压方波输出相差180°，说明输出电压的峰峰值为+2V。MOS开关的作用就是有效地将整个电源电压跨接在合成变压器的初级绕组上，在射频激励信号的每半个周期是反相的。作为全桥组态，输出就是两倍电源电压的射频输出。为了防止直流电压通过变压器的绕组通地，应在每部分的射频输出都串联有隔直电容C。
2．2 半桥组态工作原理
以Q1／Q3和QS／Q7的工作情况为例，其工作原理如图5所示。
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