D类MOSFT在发射机射频功放中的应用
在射频功放模块的设计中，两个半桥式组态采用单独的电源和射频激励输入，这样可以使每个放大器两个半桥独立地进行工作。如将Q1／Q3源极和QS／Q7的漏极接在一起，射频输出从0V到+V，则可保证当一个全桥组态的射频功放模块在任何一个半桥出现故障时，射频功放模块仍然可以工作。只是射频输出电压减小为全桥组态的一半而已。
在射频激励信号的负半周，MOS管QI／Q3截止，QS／Q7导通，如图5(a)所示。而在射频激励输入信号的正半周，MOS管Q1／Q3导通，QS／Q7截止，如图5(b)所示。Q2／Q4和Q6／Q8的开关情况与此正好相反。跨在功率合成变压器初级两端的输出信号就在半个周期里，在地(约为0V)和正电源间进行一次切换，如图5(c)所示。
2．3 射频功放模块在关断时的射频电流
由于DX一200型DAM发射机的射频功放模块数为224，在不同的功率等级下所接通的射频功放模块的数量不同，其输出变压器的次级为串联输出，这就决定了关断的射频功放模块必须为在用的或者接通的功放模块提供一条低阻抗导电通路。其工作原理电路如图6所示。
在射频激励信号的负半周，MOS管QI／Q3截止，QS／Q7导通，如图5(a)所示。而在射频激励输入信号的正半周，MOS管Q1／Q3导通，QS／Q7截止，如图5(b)所示。Q2／Q4和Q6／Q8的开关情况与此正好相反。跨在功率合成变压器初级两端的输出信号就在半个周期里，在地(约为0V)和正电源间进行一次切换，如图5(c)所示。
2．3 射频功放模块在关断时的射频电流
由于DX一200型DAM发射机的射频功放模块数为224，在不同的功率等级下所接通的射频功放模块的数量不同，其输出变压器的次级为串联输出，这就决定了关断的射频功放模块必须为在用的或者接通的功放模块提供一条低阻抗导电通路。其工作原理电路如图6所示。
因为在用的功放模块产生的射频电流必须流过合成变压器的次级，并在已关断的射频功放模块的初级绕组上感应出射频电压。根据楞次定律，变压器次级电流所产生的磁通总是试图抵消初级电流所产生的磁通，所以，流过关断功放输出变压器次级的电流感应到初级的电压后，一定和原来的输出电压极性相反。在如图6(a)所示，由次级电流感应到初级的电压为左正右负，说明关断的射频功放在导通状态下的变压器初级电压极性是左负右正，与此相对应的导通管为Q2／Q4，截止管为01／Q3，从而形成的低阻抗通路为：与Ql／Q3相并联的反向二极管→旁路电容C1、C3→旁路电容C2、C4→Q2／Q4→隔直电容C。同理，图6(b)所形成的低阻抗通路为：与Q2／Q4相并联的反向二极管→旁路电容C2、C4→旁路电容C1、C3→Q1／Q3。
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