Qorvo UF3C065030B3 650 V、27毫欧姆碳化硅(SiC) FET产品
上传用户：ZongYu
上传日期：2024-08-08
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Qorvo的UF3C065030B3 650 V、27毫欧姆碳化硅(SiC) FET产品将高性能的第3代SiC JFET与优化的FET MOSFET共封装，打造出市场上唯一的标准化门驱动SiC器件。这个系列展示了极低的门电荷，同时也具有同类设备中最佳的反向恢复特性。这些器件采用D2PAK-3L封装，非常适合在推荐使用RC缓冲器的情况下开关感性负载，以及任何需要标准化门驱动的应用。
关键词： Qorvo 碳化硅 FET
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