SK海力士在FMS 2024上展示下一代存储技术
SK海力士在加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举办的今年未来存储峰会（FMS，前称闪存峰会）上，展示了其最新的存储技术和AI硬件解决方案。此次展会上，该公司展示了其即将推出的产品，包括12层HBM3E内存模块和预计在2025年上半年出货的321层1Tb TLC NAND。
SK海力士充分利用这一活动平台，从主题演讲开始，重点介绍了其在AI内存解决方案方面的进展，例如为设备端AI计算机设计的PCB01 SSD产品线。该SSD提供高达每秒14 GB的读取和写入速度，支持运行大型语言模型（LLM）用于AI训练和推理。
SK海力士HBM工艺整合负责人权汝河（Unoh Kwon）和SSD PMO负责人金春成（Chunsung Kim）在主题演讲中讨论了“AI内存与存储解决方案的领导力与AI时代愿景”。两位高管介绍了公司的DRAM和NAND产品组合，以及优化AI应用的内存解决方案。
随着对AI解决方案需求的增加，SK海力士最近获得了美国商务部的初步条款备忘录，预计将获得高达4.5亿美元的直接资金支持。此外，额外的高达5亿美元贷款将用于支持高带宽内存（HBM）的生产以及AI供应链安全的先进封装研发。
SK海力士已将自己定位为NAND闪存和DRAM的领先供应商。其在NAND和HBM方面的创新将有助于推动下一代AI硬件的创建。AI工作负载非常依赖内存，这使得内存的进步成为推动AI硬件发展的基石。
SK海力士AI基础设施负责人兼总裁Justin Kim表示：“随着AI时代的全面到来，内存解决方案的重要性日益凸显，这不仅是单一的DRAM和NAND产品，而是多产品组合以提高性能的解决方案。在FMS上，我们将展示我们的竞争力和技术领导地位，巩固我们在全球市场的地位。”
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