【STP14NF10FP-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

  上传用户:VBsemi 上传日期:2024-03-06 文件类型:PDF
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**产品型号:** STP14NF10FP-VB
**丝印:** VBMB1101M
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装: TO220F
- 类型: N—Channel沟道
- 额定电压: 100V
- 额定电流: 18A
- 开态电阻 (RDS(ON)): 100mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 2~4V

**封装:** TO220F

**详细参数说明和应用简介:**
该器件是一款TO220F封装的N—Channel沟道场效应晶体管,适用于多种应用场景。主要参数包括高电压额定值、高电流额定值、低开态电阻,使其在不同电源和负载条件下具有良好的性能。

**应用领域:**
1. **电源开关模块:** 由于其高电压和高电流额定值,可用于电源开关模块中的开关电源和电压调节。
2. **电机驱动模块:** 适用于工业电机和电动车辆的电机驱动模块,提供可靠的高电流驱动。
3. **电子开关模块:** 在需要高功率电子开关的场景中,可用于实现电子开关和电平转换。

**作用:**
- **电源开关模块:** 用于开关电源和电压调节,实现电源的高效能转换。
- **电机驱动模块:** 提供可靠的电流驱动,控制工业电机和电动车辆的运行。
- **电子开关模块:** 作为电子开关的一部分,确保稳定的电子开关和电平转换。

**使用注意事项:**
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作,以确保器件的可靠性和稳定性。
2. 在设计中考虑散热需求,特别是在高电流和高功率应用中。
3. 确保在阈值电压范围内使用,以确保正常工作。
4. 避免超过额定电压和电流,以免损坏器件。

关键词: STP14NF10FP   mosfet   vbsemi  

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