【IRLR7843TRPBF&2-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

  上传用户:VBsemi 上传日期:2024-03-06 文件类型:PDF
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**IRLR7843TRPBF&2-VB 产品参数:**
- 丝印: VBE1302
- 品牌: VBsemi
- 封装: TO252
- 类型: N—Channel 沟道
- 额定电压: 30V
- 额定电流: 100A
- 静态导通电阻: RDS(ON) = 2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1~3V

**应用简介:**
适用于高电流、低导通电阻的功率开关应用,特别是在需要 N—Channel MOSFET 的场合,用于电源开关、电机控制和高功率逆变。

**领域模块及作用:**
1. **电源开关模块:** 用于高功率开关电源,提供可靠的电力转换。
2. **电机驱动模块:** 控制电机运行,适用于高功率电机控制。
3. **高功率逆变模块:** 适用于高功率逆变器,将直流电源转换为交流电源。
4. **电动工具和电动车模块:** 提供高电压和电流输出,适用于电动工具和电动车电源系统。

**使用注意事项:**
1. 确保按照规格书正确连接引脚,以确保器件正常工作。
2. 在高功率应用中,采取适当的散热措施,以维持器件在正常温度范围内。
3. 避免电压和电流超过器件的最大额定值。
4. 注意防止器件过载,以避免损坏。

关键词: IRLR7843TRPBF&2   mosfet   vbsemi  

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