外媒:存储大厂正在加速3D DRAM商业化

时间:2023-03-15来源:全球闪存市场

据外媒《BusinessKorea》报道,三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。

考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况,业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然,而不是一种方向。

与现有的DRAM市场不同,3D DRAM市场上目前还没有绝对的领导者,因此快速量产才是至关重要的。随着ChatGPT等人工智能(AI)应用产品的活跃,市场对高性能、大容量存储半导体的需求将会增加。


关键词: 存储 3D DRAM

加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号:EEPW

或用微信扫描左侧二维码

相关文章

查看电脑版