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三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。

芯研所8月21日消息，CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后，EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺，其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，将由10nm世代中的1γ（gamma）工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，预计2024年进入量产阶段。

此外，这个1γ工艺要更先进，10nm级别的内存工艺中前三代是1x、1y、1z，再往后是1a、1β、1γ等。在美光之前，三星及SK海力士都更早进入了EUV节点，从去年底就开始部署EUV光刻工艺了，而且比美光更激进，最快在1a工艺节点就会量产EUV内存芯片。

关键词： 美光 EUV DRAM