ReRAM公布最新成果,性能接近理论数据
可变电阻式ReRAM 作为新的存储技术，从研发到商用总是要历经漫长的艰难坎坷。现在ReRAM芯片的研制已经初见成效，日前索尼和Micron就联手公布了他们的最新研究成果，称他们试制的产品在性能上已经非常接近理论数据。
索尼和Micron联手公布的是一款容量为16Gb(2GB)的ReRAM芯片，据称这款芯片基于27nm CMOS工艺打造，可以用于替换现有的DDR SDRAM芯片，可用于移动设备或者是PC上。
按照公布的信息称，索尼和Micron联手公布的这颗芯片实际性能是读取900MB/s，写入180MB/s，和它读取1000MB/s、写入200MB/s的理论性能已经非常接近，进入量产、商品化的可能性很高。
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