基于不同VTH值的新型CMOS电压基准
3．2 有效负载电路
由图2可知，电流I流过MOS管M15，ML1时：
由式(2)可知，载流子迁移率μ是温度的高阶函数，若近似认为μN，μP的温度变化量相等，可将K看作常数，可得：
由式(3)和式(13)可知，取恰当的K值，即合理选择MOS管M15和ML1的宽长比，就可以使阈值电压VTHN和VTHP的温度系数相抵消，使VREF几乎不随环境温度的变化而变化。
3．3 电路的优化
在图2中MOS管M12，M13，M14，M15起电流镜像作用，可以将这4个管子省去，直接将负载管ML1接到M10和M11的漏极。这样将图2优化成图3就可以少4个MOS管，节省版图面积。
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