叠栅MOSFETs的结构设计与研究
再利用MEDICI提取图2中各自阈值电压的值，见表2。在表2中我们可以看到同等条件下VT(stack)>VT，这时需要注意的是在沟道缩小到0．1μm时，单栅NMOS于短沟道效应的影响已经没有阈值电压了，MOSFET经失去了作用，而叠栅MOSFET则保持了一个比较合理的阈值，这已经证明了叠栅结构能有效的抑制短沟道效应。为了比较两种结构的阈值电压变化率，可调整叠栅NMOS的阈值电压VT(stack)，使它在长沟道情况下与单栅NMOS的阈值电压VT相等，然后比较两种结构阈值电压随沟道长度的变化率。我们通过降低叠栅结构的沟道掺杂浓度的方法，这样就会得到在长沟道情况下两种结构阈值电压相等。实际情况下，将叠栅MOSFET沟道掺杂降为2×1016／cm3时，就可以得到上述结果。仿真结果如图3所示。
同样提取相同阈值电压单栅NMOS的情况，再将两者的提取值比较，如图4所示。显然得到的结果是在沟道长度低于0．5μm时，叠栅MOSFET的阈值电压变化率比单栅MOSFET的要小，抑制短沟道效应能力也必然要大得多。
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