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2．3 GaN MMIC电路研制
版图设计中主要考虑版图的布局及工艺的兼容性，微带线间的距离宜大于两倍基片的厚度，以减小传输线间的耦合。在尽量缩小芯片面积的同时要充分考虑到无源元件之间、无源元件与有源器件之间的互干扰效应，同时对设计的版图进行仿真分析。版图验证采用版图与原理图对应、DRC和局部的电磁场分析来提高电路设计的精度。在工艺设计上，考虑设计采用的元器件模型并不成熟，为了简化器件研制工艺，电阻采用体电阻形式，同时将欧姆接触引起的电阻加到总的电阻中。有源器件通过注入隔离，为防止SiN针孔引起击穿，200 nmSiN分两次淀积完成，衬底减薄到100 μm，器件全部工艺完成后，得到的MMIC照片如图5所示。

3 GaN MMIC测试与分析
GaN MMIC芯片烧结在铜载体上，进行微波功率测试。确定偏置条件为：VDS=20V，VGS=一3．6 V，在8．5~10．5 GHz频率测试连续波输出特性，其测试的微波输出功率特性曲线如图6所示，频率为9．1～10．1 GHz，输出功率大于40 dBm，增益大于12 dB，JPAE大于30％，增益平坦度±0．2 dB，最大输出功率为11．04 W。

4 结论
本文采用国内研制的6H-SiC衬底，自主研制高输出功率GaN MMIC。采用GaAs功率器件的Materka模型提取的A1GaN／GaN HEMT大信号建模，应用到GaN MMIC的设计中，得到较好的研究结果。利用混合套刻工艺研制出电路芯片，连续波在9．1~10．1 GHz内，输出功率大于lO W，首次研制出国产6H-SiC衬底的x波段GaN MMIC，其输出功率达到国内领先水平。

关键词： MMIC SiC GaN 衬底