电子产品世界

2．2 GaN MMIC电路设计
选择两级放大的匹配电路结构，第一级输入匹配为50 Ω，使用两个总栅宽为lmm的器件。为了提高输出功率，同时减小电路的总面积，第二级采用一个总栅宽为4 mm的器件，信号分别经过功率分配和功率合成后匹配到50Ω输出。为了满足信号幅值和相位的对称性要求，第二级管芯栅、漏压点严格按照对称性进行设计。
将器件的大信号模型内嵌到ADS软件环境中，利用ADS系统提供的无源元件进行GaN MMIC结构设计和优化，其拓扑结构如图4所示。在电路设计中，针对电路的性能指标对电阻、电容、电感等匹配元件进行优化，改善带宽特性和带内平坦度。分别进行小信号和大信号优化，以改善电路的功率特性。在输入、输出端适当增加匹配元件(电容、电感)，保证带内电路的输入、输出驻波比。在电路设计注意考虑包括微波测试时的偏置电路以保证测试与设计的对应一致性。在电路优化中，重点优化电路的输出功率特性。

关键词： MMIC SiC GaN 衬底