电子产品世界

　　其他挑战

　　最近一个新的挑战给ASE制造了意想不到的困难。当用户增加芯片的复杂度和密度时，更多的功能部分被封装进芯片中，且大都使用再分布的方法。“与密度增加同时发生的是，一些引线键合焊盘或硅芯片上的焊盘降低到UBM结构之下。因为那里没有了衬垫效应，而是一个高应力集中区域，因此会降低可靠性。增加密度时焊盘下的通孔会导致这个问题。我们正试图优化设计——不但在在硅芯片级别上，而且在再分布系统结构上，来调节落到高密度器件焊垫下方的通孔。”

　　大电流也可能在将来带来一些挑战。Hunt表示，有些ASE的终端用户希望得到比传统上ASE为便携式设备提供的大得多的电流。“我们将不得不增加RDL的厚度和UBM结构的性能以及选择具有最好电迁移性能的合金，”Hunt说“嵌入式闪存和扇出技术中我们需要低温聚合物。对于扇出技术，当晶圆被埋入塑料框架，塑料框架必须有与硅相似的较低的热膨胀系数(TCE)，现今的材料有低的固化温度适合做塑料框架。如果你试图将高固化温度的聚酰亚胺PBO放到RDL上，它会使辅助晶圆弯曲而无法处理。对于这种情形，我们也需要低固化温度的材料。这种材料是存在的，只是可靠性却不如高固化温度材料。”

　　可靠性是另一个需要被关注的问题。虽然它一直是一个问题，但过去人们却最关心温度循环。“每个人都从标准封装技术推断，并且将标准封装技术的规则应用于晶圆级封装，但是很明显，相对于温度循环性能，手持设备终端用户对跌落测试性能更感兴趣，”Hunt说。“现在我们也看到对于有键盘的设备需要增加弯曲测试，按压时它会使电路弯曲在其中产生应力。弯曲测试和跌落测试是主要因素，但我们不能排除温度循环测试，而且我们必须使这些高密度、高I/O的产品通过所有这些测试。”

关键词： ASE 晶圆级封装 TSV

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