业界第一个商用TMBS整流器与传统整流器电子应用的对比(08-100)
TMBS器件的开关性能更好，如图4所示。
图4 TMBS和平面肖特基整流器的Trr曲线
200 V TMBS的特征
与数据手册额定值为90 A的行业标准平面肖特基势垒整流器，以及来自领先功率半导体制造商的三种类型的30 A额定值的超快恢复二极管(UFRD)相比，200 V TMBS器件显示了在结温为+125℃，电流密度为180/cm2的条件下，至少可以改善13 %(图5)。值得注意的是，由于UFRD在200 V市场上占有统治地位，与相同片芯尺寸的UFRD相比，在电流密度为180 A/cm2(在TJ = +125℃条件下)时，200 V TMBS整流器显示了16 %的VF 改善，而其开关特性都是相同的(表1)。在IF = 15 A，di/dt = 200 A/uS，VR = 200 V及TJ = +125℃条件下，观察到了一个商用UFRD(2型)优于200 V TMBS整流器的反向恢复性能，但是在180 A/cm2相同的电流密度下，VF 要比200 V TMBS器件高19 %。
图5 基准条件下(TJ = +125℃)200 V整流器的JF VF曲线
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