业界第一个商用TMBS整流器与传统整流器电子应用的对比(08-100)
图2 沿半导体漂移区的TMBS与平面肖特基器件电场曲线的比较。左侧的X轴是硅表面，这里形成了肖特基势垒
Vishay发布的所有100 V、120 V、150 V和200 V TMBS整流器都采用了浅沟道(最深2.1 um)和薄氧化物厚度(最厚0.3 um)，它可以大幅度缩短沟道蚀刻制造所需的处理周期时间，因此可以提高制造工艺的吞吐量。
器件特征描述
本部分将仅涉及100 V和200 V TMBS整流器的器件特征描述，但是其结论可适用于其他电压的TMBS器件。
40 A/100 V TMBS的特征
与传统60 A整流器相比，40 A/100 V TMBS器件显示出了改善的正向压降性能，如图3a和3b所示。
图3a和3b TMBS和传统平面肖特基整流器的正向电压比较
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