【IPD50N06S2-14-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
上传用户：VBsemi
上传日期：2024-03-06
文件类型：PDF
文件大小：419.17K
资料积分：0分 积分不够怎么办？
**IPD50N06S2-14-VB 详细参数说明和应用简介：**
- **参数：**
- 丝印：VBE1615
- 品牌：VBsemi
- 封装：TO252
- 类型：N—Channel沟道
- 额定电压：60V
- 额定电流：60A
- RDS(ON)：9mΩ @ VGS=10V, 20V
- 阈值电压：1.87V
- **应用简介：**
- IPD50N06S2-14-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于高功率开关和电源控制。
- **应用领域：**
- 高功率开关模块
- 电源控制模块
- **作用：**
- 在高功率开关模块中，用于控制电路的导通和切断，适用于高功率设备。
- 在电源控制模块中，用于实现电源的高效开关和调节，适用于大功率电子设备。
- **使用注意事项：**
- 丝印VBE1615对应IPD50N06S2-14-VB，确保正确识别。
- 在规定的电压和电流范围内使用，以防损坏设备。
- 遵循制造商提供的电路设计和应用建议。
- **参数：**
- 丝印：VBE1615
- 品牌：VBsemi
- 封装：TO252
- 类型：N—Channel沟道
- 额定电压：60V
- 额定电流：60A
- RDS(ON)：9mΩ @ VGS=10V, 20V
- 阈值电压：1.87V
- **应用简介：**
- IPD50N06S2-14-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于高功率开关和电源控制。
- **应用领域：**
- 高功率开关模块
- 电源控制模块
- **作用：**
- 在高功率开关模块中，用于控制电路的导通和切断，适用于高功率设备。
- 在电源控制模块中，用于实现电源的高效开关和调节，适用于大功率电子设备。
- **使用注意事项：**
- 丝印VBE1615对应IPD50N06S2-14-VB，确保正确识别。
- 在规定的电压和电流范围内使用，以防损坏设备。
- 遵循制造商提供的电路设计和应用建议。
关键词： IPD50N06S2-14 mosfet vbsemi
加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号：EEPW
或用微信扫描左侧二维码