传ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备

时间:2024-07-01来源:全球半导体观察

据韩媒报道,韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机,用于HBM4生产。

根据报道,美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机,用于生产HBM3E,于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。

据透露,美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E,该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。

此外,目前美光最大的HBM生产基地在台湾地区,另据日经亚洲引述知情人士透露,美光科技正在美国建设先进高带宽存储(HBM)芯片的测试生产线,并首次考虑在马来西亚生产HBM,满足AI热潮带来的更多需求。

美光曾表示,公司目前正积极强化HBM技术并同步扩充产能,公司目标是到2025年将HBM(AI芯片的关键组件)的市场份额提高三倍以上,达到20%左右。

关键词: ASMPT 美光 HBM4

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