2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

时间:2024-02-19来源:贝能国际

CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术,CoolSiC™技术的输出电流能力强,可靠性提高。

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产品型号:

▪️ IMYH200R012M1H

▪️ IMYH200R024M1H

▪️ IMYH200R050M1H

▪️ IMYH200R075M1H

▪️ IMYH200R0100M1H

产品特点

■ VDSS=2000V,可用于最高母线电压为1500VDC系统

■ 开关损耗极低

■ 创新的HCC封装

■ 针脚间爬电距离为14毫米

■ 5.4毫米电气间隙

■ 栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V

■ 用于硬换流的坚固体二极管

■ .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

■ 高耐湿性

应用价值

■ 市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件,阻断电压高达2000V

■ 1500V的DC的变流器可以用两电平实现

■ 与1700V SiC MOSFET相比,1500 VDC系统具有足够的过压裕量

■ 创新的TO-247封装,具有高爬电距离和间隙

应用领域

■ 光伏逆变器

■ 储能系统

■ 电动汽车充电

关键词: MOSFET CoolSiC Infineon

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