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　　在此，我们计算一下在直径10μm的带电球体上单层涂布1cm²面积上的库仑力。带电板的间隔为1mm。下图列出了直径10μm的带电球上每1cm³的电荷密度与库仑力之间的关系。虽是面电荷，但是按照假定为点电荷计算的，因此得到的数值要低于实际值。

点电荷间的库仑力

　　从上图可以看出，只要有10¹⁶个/cm³以上的电荷密度，就可获得比钕磁铁更强的力场。

　　这里最重要的是10¹⁴个左右的密度范围。这是半导体制造过程中离子注入的一般密度。因此，只要防止离子注入后发生电荷脱离及侵入，便可实现高电荷密度，从而获得大库仑力。

　　不过，电荷封入绝缘体中时，因电荷会强充电，不移动的电荷会增加。这样会生产强大的排斥力，因此电荷注入存在极限。

可封入电荷的带电体构造

　　综上所述，为了获得大库仑力，必须用不同于以往的做法来实现高密度的带电体。在此提出两个可实现稳定带电体构造的方案。

关键词： 磁铁 马达 电荷 带电体