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　　图所示的电流检测电路是所谓的欠饱和检测电路。它起初用于IGBT，用来检测由于过流而过饱和的 IGBT 的电压。这就是说，它也可以用于MOSFET（MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（INSulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。）。对于 MOSFET，原理相似，因为过载时 FET 上的电压将会显著增加。