由MOSFET等构成的自激式降压型斩波器电路图
作者：dolphin
时间：2012-07-20
如图是由MOSFET等构成的自激式降压型斩波器电路。A1加正反馈进行振荡，其振荡频率由扼流圈L1和正反馈电阻R1决定。当振荡频率高到2OOkHZ时，扼流圈和滤波电容可小型化，输出变动的响应特性也可得到改善。开关元件VT1采用功率MOSFET管，当VT1截止时，扼流圈L1感应的反向电压通过续流二极管VD5供给负载。输出电压通过R2加到A1的同相输入端 ，并与加在其反相输大端的5V基准电压进行比较,A1输出通过VT2控制VT1导通或截止。当输出电压的峰值超过6V时，过电压检测电路动作，使VT1可靠截止。
VT1导通时，栅极电压要比28V电源电压高1OV。VT1截止时，28V电源通过VD4、R3对电容C1进行充电。VT1导通，源极电压随之升高，C1释放的电荷通过R4对栅极进行充电而得到足够的栅极电压。C1的容量要为VT1输入电容的10倍，这里选用0.1μF。VD4是用于防止C1电荷泄漏到电源端的二极管，由VT3、C2、R5、VD6、VD7和R6构成软启动电路。在VT3的放大期间，VT1栅极电压逐渐升高而使输出电压慢慢上升，上升到额定输出电压时VT3截止，从而达到软启动的目的。
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