晶体管的伏安特性曲线

  作者:dolphin 时间:2012-07-19

晶体管的伏安特性曲线

晶体管的伏安特性曲线

  在较低正向电压下,只有很小的漏电流Ifx。当正向电压很高时,反偏的J2击穿,这时的正向电压叫做正向转折电压Upo。晶闸管达到饱和时,阳阴极电压立刻下降到正向导通电压Up。现在考虑反向特性。当晶闸管的阳阴极间加反向电压时。有一小的反向漏电流IRx流动。反向电压增加时,IRx基本保持不变。当反向电压增加到某一数值时,J1和J3雪崩击穿,反向电流剧增,这时所对应的电压叫做反向击穿电压UbR。从图l-4中也可看出,在正向特性中。当Igo时,晶闸管容易导通,正向转折电压降愈大,正向转折电压愈低。正向特性曲线中,导通之前的区域叫正向阻断区。

关键词: 晶体管 伏安 特性 曲线

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