电子产品世界

IGBT是集MOSFET和GTR的优点的功率器件

双极型功率器件：如晶闸管、GTR等
通流能力很高：由于有少数载流子注入对漂移区电导率的调制，即便是高压器件，电流密度亦可达到200～300A/cm2
开关速度较低，开关过程中功率消耗较大
功率MOSFET：
开关速度较高，开关过程中功率消耗较小
由于没有少数载流子的电导调制作用，使通态电阻较大，通流能力较小。一个600V功率MOSFET的最大电流密度一般只有10A/cm2左右。

双极－MOS复合器件技术
采用双极－MOS复合器件技术（简称BiMOS技术）将二者结合起来，取各方之长构成一种新的器件。
在其中：
双极器件的作用：输运主电流
MOS器件的作用：作控制开关
1、结构