NXP 塔顶放大器解决方案
作者：angelazhang
时间：2016-03-24
方案概述
恩智浦低噪声放大器系列基于高速 QUBiC4-BiCMOS 硅工艺 。 QUBiC4 硅器件不仅满足 RF 基 站的性能要求 ， 而且功能多于传统的砷化镓 ( GaAs ) 器件 ， 成本则相近或更低。
功能定义及性能指标
BGU705x 系列低噪声放大器 ( LNA ) 提供 0.6dB 的低噪声系数 ( NF ) 和 30dBm 的高线性输出三阶交调点 。 该系列引脚兼容的产品内部匹配 50 欧姆电阻 ， 具有高输入回损 ， 设计工作频率为 500MHz 到 3800MHz 。这些产品的所有引脚均提供 ESD 保护 ， 采用 HVSON10 无铅封装 。 与基于 GaAs 的分立器件相比 ， 这些器件的直流功耗更低 ， 对高输入电平信号的抗扰度更高 ， 杂散辐射性能更佳 ， 输出功率更高.
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