1600Mbps数据率的DDR3让您的缓存操作飞起来
ALLIANCE推出了一款2Gb容量的第三代双倍数据率同步动态随机存储器(DDR3)型号为AS4C128M16D3-12BAN。该款DDR3芯片具有16bit位宽,共128M个存储单元,在使用过程中,芯片被划分为8个Bank,其中每个Bank位宽为16bit,共有16M个存储单元,单个Bank容量达256Mb。AS4C128M16D3-12BAN作为DDR3类存储器,采用最新的双倍数据率架构设计,即利用两个不同时钟边沿(CK的上升沿,CK#的下降沿)对数据进行锁存,这样在时钟频率相同的情况下,AS4C128M16D3-12BAN可以将数据传输速率提升为传统SDRAM存储器的两倍,另一方面来说可以利用双倍数据率架构的优势将时钟频率降低,从而有效降低设计难度、功耗以及设计成本。
AS4C128M16D3-12BAN的时钟采用差分信号,最高时钟频率可达800MHz,当以每个数据I/O管脚计算数据传输速率时,由于利用两个时钟边沿进行数据锁存,因此最高速度可达1600Mbps。由于该款DDR3芯片采用完全同步操作,并符合JEDEC时钟抖动规范要求,因此对于数据传输的稳定性具有完善的保障。
AS4C128M16D3-12BAN采用96脚的FBGA封装,封装尺寸仅为9mm x 13mm x 1.2mm,即便使用两片或者更多该款DDR3存储器进行乒乓操作设计,也不会对整板的设计面积造成过大压力。此外,AS4C128M16D3-12BAN符合JEDEC标准要求,其工作温度范围为-40~105℃。大容量小尺寸,以及宽工作温度范围,保障其具有广泛的应用领域。
AS4C128M16D3-12BAN的主要特点:
• 供电电压:+1.5V±0.075V;
• 时钟信号采用差分模式,最高时钟速率800MHz;
• 内部容量:2Gb(128M x 16bit);
• 最高数据率(以每个IO口的数据率计):1600Mbps;
• 符合JEDEC时钟抖动要求;
• 支持 8n位预读取;
• 内部流水线架构;
• 支持自动刷新和自我更新;
• 支持OCD校准;
• 支持动态ODT;
• 符合RoHS要求;
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