200MHz高速CMOS工艺双倍速率同步动态存储器

  作者:angelazhang 时间:2015-08-16

全球性专业RAM供应商Alliance Memory于2015年4月推出了一款256Mb的新型存储器AS4C32M8D1,可以实现双倍速率的同步动态随机存取。AS4C32M8D1采用66-pin TSOP II封装,0.65mm的Pin脚间距。基于CMOS工艺,内部是流水线结构,配置为32M word×8bits。该款产品主要应用在医疗、消费、通信等需要高内存带宽的方案里,可替代市场上绝大部分同类的其他产品,完美实现了Pin to Pin兼容。


AS4C32M8D1存储器采用脉冲数据传输模式。基于脉冲终止选项,该存储器提供的可编程读写脉冲长度为2、4、8,并且在脉冲序列结束时启用自动预充电模式,可以实现自定时预充电功能。该存储器内含有可编程模式寄存器,系统工作时可以自动选择相应的的工作模式,从而最大限度地提高存储器的性能。除此之外,该存储器具有简单易用的刷新选项,包括自动刷新和自刷新功能。


AS4C32M8D1存储器的特性:

• 内存大小:256Mb

• 结构配置:32M*8bit

• 时钟频率:200MHz

• 可编程模式寄存器

• 脉冲串长度:2,4,8 

• 温度范围:0~+70℃(消费级),-40~+85℃(工业级)

• 供电电压:+2.5V 0.2V

• 封装:66-pin TSOP II

关键词: AS4C32M8D1 同步动态存储器 DDR S

加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号:EEPW

或用微信扫描左侧二维码

相关电路