2110-2170MHz射频功率MOSFET方案MRF8S21100
作者：angelazhang
时间：2015-01-25
方案概述
MRF8S21100HR3和MRF8S21100HSR3专为WCDMA和LTE基站2110MHz-2171MHz频率应用而设计，可用于AB类和C类典型蜂窝基站调制方式。MRF8S21100HR3和MRF8S21100HSR3具有高增益、高线性、高效率、优异的抗静电防护能力等特点，可应用Doherty及DPD等设计。
核心优势
· 高增益：用于2110MHz—2170MHz频段增益高达18dB；
· 高线性：输出10W (WCDMA PAR=10.3dB)，ACPR ≤-48dBC；
· 高效率：输出24W(Avg), η≥33% (WCDMA PAR=7.5dB) ；
· 设计广范：可应用于Doherty及DPD等设计；
· 抗静电：优异的抗静电防护能力
方案设计图
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