2110-2170MHz射频功率MOSFET方案MRF8S21200HR6

  作者：angelazhang 时间：2015-01-25

方案概述

MRF8S21200HR6和MRF8S21200HSR6专为2110-2170MHz WCDMA和LTE基站应用而设计，可用于AB类和C类典型蜂窝基站调制方式。

核心优势

  高VBW （视频带宽）：75MHZ；
  高回损：IRL≤-13dB
  高线性：单管即可输出40W 且互调≥-45dBC；
  高功率：P-1功率≥ 200W；
  设计广范： 可应用于高峰均比及DPD的环境设计
  抗静电：优异的抗静电防护能力

方案设计图

QQ截图20130630224150.png

关键词： 射频 MOSFET WCDMA LTE MRF8S2

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