三星HBM3E没过英伟达验证,原因与台积电有关

时间:2024-05-17来源:全球半导体观察

存储器大厂美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达送样八层垂直堆叠24GB HBM3E,美光和SK海力士HBM3E于2023年初通过英伟达验证,并获订单,三星HBM3E却未通过验证。

外媒报导,三星至今未通过英伟达验证,是卡在台积电。身为英伟达数据中心GPU制造和封装厂,台积电也是英伟达验证重要参与者,传闻采合作伙伴SK海力士HBM3E验证标准,而三星制程与SK海力士有差异,SK海力士采MR-RUF,三星则是TC-NCF,对参数多少有影响。

三星2024年第一季财报表示,八层垂直堆叠HBM3E4月量产,第二季会量产12层垂直堆叠,比原计划下半年提前。三星说是为了应付生成式AI应用日渐成长的需求,故加速新HBM生产进度。

市场传闻三星八层垂直堆叠HBM3E没有通过英伟达与台积电验证,是因有缺陷,三星说传闻不正确,重申提供最佳产品的承诺。市场人士表示,如果检测标准调整,三星HBM3E就能通过验证。


关键词: 三星 英伟达 台积电

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