电子产品世界

3 月 20 日消息，本周二在美国加州圣何塞举办的媒体吹风会上，英伟达首席执行官黄仁勋表示：“HBM 内存不仅生产难度高，而且成本非常高，我们在 HBM 上可谓是一掷千金”。

黄仁勋将 HBM 称为“技术奇迹”（technological miracle），相比较传统 DRAM，不仅可以提高数据中心的性能，功耗方面明显更低。

在本次吹风会之前，网络上有不少消息称英伟达会从三星采购 HBM3 或 HBM3E 等内存，而在本次吹风会上，黄仁勋正面表示：“三星是一家非常非常优秀的公司”（Samsung is a very, very good company.）。

黄仁勋表示目前已经开始验证三星的 HBM 内存芯片，并考虑在未来下单采购。

黄仁勋在本次吹风会中，强调了 SK 海力士的重要性，是满足英伟达现代 HBM 内存的主要供应商。

IT之家注：目前 AI 加速卡除了 CoWoS 封装瓶颈之外，另一个重要限制就是 HBM，这其中的主要原因是 HBM 生产周期较 DDR5 更长，投片到产出、封装完成需要至少 2 个季度。

英伟达目前主流 H100 加速卡采用 HBM3 内存，主要供应商为 SK 海力士，目前无法满足整体 AI 市场需求。集邦咨询表示三星于 2023 年年末，以 1Znm 产品加入英伟达供应链，尽管比重仍小，但可视为三星在 HBM 领域的重大突破。

关键词： 黄仁勋 三星 英伟达 HBM 内存

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