“薄膜生长”国产实验装置在武汉验收
据武汉市科技局官微消息，日前，半导体芯片生产中的重要工艺设备——“薄膜生长”实验装置在武汉通过验收，这项原创性突破可提升半导体芯片质量。
据悉，半导体薄膜生长是芯片生产的核心上游工艺。这套自主研制的“薄膜生长”国产实验装置，由武汉大学刘胜教授牵头，联合华中科技大学、清华大学天津高端装备研究院、华南理工大学、中国科学院半导体研究所、中国科学院微电子研究所等多家单位，历时5年完成。
这套“薄膜生长”国产实验装置由“进样腔”、“高真空环形机械手传样腔”等多个腔体和“超快飞秒双模成像系统”、“超快电子成像系统”等多个构件组成。据武汉大学副研究员吴改介绍，这套装置将硅、蓝宝石等衬底放入进样腔，通过“高真空环形机械手”将衬底转运至功能不同的腔体，实现衬底的预处理、薄膜生长、等离子体清洗等过程。
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