楷登电子成功流片基于台积电N3E工艺的16G UCIe先进封装IP

时间:2023-04-28来源:全球半导体观察

近日,楷登电子(Cadence)宣布基于台积电3nm(N3E)工艺技术的Cadence® 16G UCIe™ 2.5D先进封装IP成功流片。

该IP采用台积电3D Fabric™ CoWoS-S硅中介层技术实现,可提供超高的带宽密度、高效的低功耗性能和卓越的低延迟,非常适合需要极高算力的应用。

据悉,楷登电子目前正与许多客户合作,来自N3E测试芯片流片的UCIe先进封装IP已开始发货并可供使用。这个预先验证的解决方案可以实现快速集成,为客户节省时间和精力。


关键词: 楷登电子 台积电 N3E UCIe 先进封装 IP

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