一种软启动与防反接保护电路
编者按： 摘要：在很多消费电子设备中用到了软启动电路与防反接电路，其保护作用非常显著。多数的设计中，这两种电路独立存在，或者仅有一种保护电路，导致部分保护功能缺失或者电路设计复杂。本设计提出一种设计方法，同时实现软启动与防反接保护功能，且电路简单。 软启动与防反接保护电路对电子设备有很好的保护作用，由于消费电子客户存在多次开关机的应用场景和输入接反的可能性。但是由于成本与电路设计的复杂性，很多设计中只提供了一种保护电路。本文基于提供全面保护与降低成本、降低设计复杂性的角度，提出一种电路，整合了软启动与防反
2.3.1 用N沟道MOSFET设计的软启动电路
利用N沟道MOSFET设计的软启电路，电路图见图3。
工作原理：当输入上电时，由于C1的电压不能突变，输入电压通过R1对C1进行充电，充电时间由R1与C1共同决定，最终C1电压达到R2上的分压。C1上的电压也即是Q1的栅极源极之间(N沟道MOSFET的导通条件为栅极电压高于源极电压)的电压，电压是从零开始，Q1的工作状态也即是从截止区[4]到恒阻区[4]，再从恒阻区到饱和区[4]，在恒阻区时能起到很好的软启动作用，最终的饱和区导通电阻很小，其耗散功率可以忽略。利用N沟道MOSFET做软启动比较常见，N沟道MOSFET的价格较便宜，此电路的输入与输出的参考地不同(相差很小)，实际应用中需要注意。
2.3.2 用P沟道MOSFET设计的软启动电路
利用P沟道MOSFET设计的软启电路，电路图见图4。
工作原理：当输入上电时，由于C1的电压不能突变，输入电压通过R2对C1进行充电，充电时间由R2与C1共同决定，最终C1电压达到R1上的分压。C1上的电压也即是Q1的栅极源极之间(P沟道MOSFET的导通条件为栅极电压低于源极电压)的电压，电压是从零开始，Q1的工作状态也即是从截止区[4]到恒阻区[4]，再从恒阻区到饱和区[4]，在恒阻区时能起到很好的软启动作用，最终的饱和区的导通电阻很小，其耗散功率可以忽略。利用P沟道MOSFET设计的软启动电路，输入输出的参考地相同，相同性能的P沟道MOSFET相对N沟道的MOSFET的价格稍高。
3 防反接电路的作用
由于直流电输入是有极性的，如果用户将电源极性接反时，可能会损坏设备。故在多数的直流输入设备中，均会设计防反接保护电路。
4 防反接电路
常见防反接电路有以下几种：
4.1 二极管防反接保护
二极管防反接电路有以下两种：
4.1.1 单二极管防反接保护电路
此方式的防反接电路应用较广泛，利用二极管单向导通的特性来防反接。主要是在高电压、低电流的电路中，电路图见图5。
此处使用的二极管D1可以是普通的二极管，但结电压一般在0.7伏[4]左右。如果对效率较敏感，可以使用肖特基二极管，其结电压一般在0.3伏[4]左右，但是价格稍高。此电路的优点是电路极其简单、可靠性高，缺点是耗散功率较大。
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