电子产品世界

基于NCP1070/1的参考设计(见图4)典型输出电压为5 V，输出电流1 A，提供80%的能效，适合低功率AC-DC适配器及消费电子应用。

图4：用于低功率AC-DC适配器、消费电子等应用NCP1075 2到5 W参考设计。

基于NCP1076/7的20 W参考设计典型能效达80%，适合白家电及工业等应用。

图5：基于NCP1076/7的20 W参考设计。

基于NCP1075的12 W参考设计采用抽头(tapped)电感来隔离交流信号，提高MOSFET工作的占空比，提高系统能效及电路性能。这参考设计适合白家电、电表及工业设备等应用。

图6：基于NCP1075的12 W抽头电感降压参考设计。

为了配合采用极高交流主电源电压供电的低功率应用，安森美半导体还提供基于NCP1075、带预稳压器的15 W参考设计。这采用设计采用专利的电路应用，支持在2相(而非相位和中性点)之间供电，而没有相应双输入大电容及相应高电源电压的缺点，帮助降低BOM成本。

图7：基于NCP1075开关稳压器和200 V预稳压器的极宽电压范围15 W参考设计。

2) NCP112x系列650 V单片开关稳压器

NCP112x系列峰值电流模式单片开关稳压器内置650 V额定雪崩能量MOSFET，采用65 kHz或100 kHz开关频率工作，采用PDIP-7封装，适合平板电视辅助电源、白家电、电表等应用。

这系列产品中，NCP1124和NCP1126分别集成导通阻抗为9 Ω和6 Ω的MOSFET，能够提供达15 W输出功率;NCP1129集成2 Ω MOSFET，能提供达25 W输出功率。这系列器件在轻载条件下频率能够反走至26 kHz及采用跳周期模式工作，帮助提升轻载能效。NCP112x支持正常及频率反走条件下的频率抖动，改善电磁干扰(EMI)性能。其它特性包括内置4 ms软启动、可调节限流及低空载待机能耗(100 mW)等。

安森美半导体基于NCP1126开发了20 W参考设计。这参考设计提供5 V输出电压及最大5 A输出电流，采用外部补偿来优化输出负载，待机能耗极低。

图8：基于NCP1126的20 W参考设计提供极低待机能耗。

基于NCP1129的20 W参考设计提供12 V输出电压及连续1.6 A电流，同样提供高能效和极低待机能耗，适合白家电、电表、智能电表等应用。

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