预驱动器和MOSFET控制功率负载的电路设计
cursor: pointer; text-decoration: none; ">MOSFET烧坏。
占空比D=45/10000=0.045;
根据图2 所示， 选择SINGLE PULSE的曲线来计算。
总结：随着半导体工艺的不断进步，半导体驱动器将在汽车电子模块应用中占主要地位，那么预驱动器和MOSFET的解决方案也将成为设计师所更关注的一种驱动方式，正确地运用预驱动器和MOSFET可以使我们汽车电子的产品不断进步。
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