电子产品世界

设计的要点：图表读取的补正

・纵轴为每单位体积的磁芯损耗，因此要在从此图表中所得到的值中加上实际使用的磁芯的实效体积。

・从此图表中所得到的磁芯损耗，要将在磁束变动为正弦波状的情况下做为前提。磁束密度是在三角波形中变动的反激变压器时，与从图表中所得到的数据相比，损失会变大。

・从此图表中所得到的磁芯损耗，要将磁束密度周期性正负两方向变动的情况作为前提。当磁束的方向为一方向，而且是增减的比率较少的反激变压器时，与在此图表中所得出的数据相比，损耗会变小。

设计的要点：磁芯损失的标准

・磁芯损失的标准是以定格输出功力的2～3%为标准。但是，由于冷却条件，即使超出此范围也没有问题。另外，输出功力较大的情况下，与此标准相比，需要更减低比率。

接下来，如图1-9所示，使用根据磁芯厂家的数据表所提供的温度上升-总损耗特性图表等，算出容许最大损失。用此值来判定在以上算出的磁芯损失是否正确。图1-9，比如说在周围温度50℃的条件下，希望在90℃以下使用磁芯的温度时，容许最大损失为1.4W以下。

算出二次侧卷线卷数・线径(基本设计步骤-变压器构造设计)

以在1.2.2項中算出的卷线比为基准，从在1.3.3.2项中算出的一次卷线卷数算出二次卷线卷数。

二次卷线线径与在1.3.3.2项中算出的一次卷线线径相同，用以下公式算出。对于其它注意点，参照1.3.3.2项。

算出 半导体元器件耐压(基本设计步骤)

求出图1-10中的开关元器件Q1、整流元器件D1的耐压。

关键词： 变压器 电感线圈