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　　然而，实现这种隔离有一些问题，一旦OR-ing二极体插入到电流路径中，会产生额外的功率损耗并降低效率，产生更多热源，故须加装散热器，导致系统功率密度难以提升。再者，OR-ing须具有软开关特性，否则当二极体被关断时，反向恢復会对系统产生影响。

　　为克服OR-ing二极体的问题，一直都是採用萧特基二极体设计，其与P-N二极体之间的主要差异，就是减小正向电压降及可忽略的反向恢復。普通硅二极体的压降介于0.71.7伏特之间；而萧特基二极体的正向电压降在0.20.55伏特之间。当以萧特基二极体做为OR-ing元件使用时，即便具有高洩漏电流，为系统带来额外的导通损耗，该总体损耗仍会小于硅二极体。

　　另一个解决方案是以功率MOSFET来取代萧特基二极体，但须引进额外的MOSFET闸极驱动器，增加系统复杂性。由于MOSFET的Rds（on）要求很小，因而两端电压降会比萧特基二极体的正向电压低很多，可称之为新一代主动OR-ing二极体设计。

　　现阶段低压MOSFET的Rds（on）已做到很低；即便採用TO-220或D2封装，也可以低至几毫欧姆。举例来说，快捷的FDS7650採用PQFN56封装，对于30伏特MOSFET而言，可达到小于1毫欧姆，当OR-ing MOSFET导通时，还可让电流以任一方向流动。至于在失效情况下，冗余电源提供大电流，因而OR-ing MOSFET须快速关断，快捷的PowerTrench MOSFET也可解决此种状况。

关键词： 功率元器件 MOSFET 效率