空间受限型应用中的PMBus热插拔电路介绍

时间:2012-08-16来源:网络

电路规范

表 1 列出了热插拔电路模块的相关规范。

规范
符号
输入电压范围
VIN
10.8V–13.2V
输出电流范围
VBR
0A–10A
电流限制
ICL
12.5A±8%
断路器电平
ICB
22.5A
故障超时
TFAULT
1 ms
最大环境温度
TA(MAX)
55°C
气流速度
Q
100 LFM (0.5 ms-1)
可用PCB面积(不包括PMBus连接器)
APCB
15 mm x 18 mm
数字遥测PMBusTM地址
Addr
0x16
表 1 热插拔电路设计规范

在这种高功率密度热插拔电路设计中,下列局限性尤为明显:

·成本:电气(MOSFET、控制器、分流电阻器)和机械(连接器、PCB)组件

·PCB 面积:严重受限

·组件规范:体积受限(尺寸和外形)

·热规范和散热属性:基本散热

电路原理图和组件选择

图 2 描述了建议热插拔电路的原理图。可以方便地将任何负载相关大容量存储电容器,靠近负载放置于主板上,无需放置在热插拔模块上。

33.jpg
图 3 数字热插拔电路原理图

表 2 详细列出了最基本的电路组件的封装尺寸和厂商建议焊垫几何尺寸。

电路组件
厂商部件编号
体积尺寸(mm)
建议焊垫几何尺寸(mm)
通过MOSFET
TI CSD17309Q3
3.3 x 3.3 x 1.0
3.5 x 2.45
分流器
Vishay WSL12062L000FEA18
3.2 x 1.6 x 0.64
3.5 x 2.45
热插拔控制器
TI LM25066A
4.0 x 5.0 x 1.0
4.2 x 5.4
TVS
Vishay SMPC15A
6.5 x 4.6 x 1.1
6.8 x 4.8

表 2 热插拔电路组件封装尺寸和建议焊垫几何尺寸

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关键词: PMBus、热插拔电路、SPM、电信电源架构、MOSFET、NexFET、电源管理、半导体、德州仪器、TI

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