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0 引言

为了进一步加强微处理器的功率、速度性能，未来微处理器对其特殊的供电单元电压调节模块(Voltage Regulator Module ,VRM)提出了前所未有的挑战。供电电源电压越来越低而电流越来越大，瞬态响应速度越来越快，功率变换效率和功率密度越来越高，针对这些要求本文研究了满足这些指标的开关电源的拓扑结构和均流方法。

1 VRM变换器拓扑结构

1.1 QSW电路

由于普通的带同步整流器的Buck电路的开关损耗限制了开关频率的提高，通过改变控制方式可以有效地改善这个问题：使Q1、Q2不严格地互补导通，在两个开关的导通信号之间加入死区时间。如图1所示，Q1关断以后和Q2导通之前，电感电流流过Q2的体二极管，于是Q2可以在零电压下导通。Q2导通以后电感电流放电到负值。Q2关断以后和Q1导通之前，电感电流流过Q1的体二极管于是Q1可以在零电压下导通。这样就可以消除两个开关的米勒效应，驱动损耗和开关损耗都可降低。由于其工作波形不是严格的方波，所以称这种方式为准方波工作方式(Quasi-Square-Wave, QSW)。

图1 准方波方式电路原理图及其工作波形

1.2 交错并联的QSW电路

以上单个带SR Buck电路拓扑在输出电流不很大时可以满足目前处理器技术要求。随着处理器工作电流的加大，由图2，假如要求VRM模块的输出电流提高到50A左右时，这种变换电路中SR的优势就不复存在了。尤其电流继续提高时，SR的正向压降甚至要超过肖特基二极管，远远不能达到要求。所以在拓扑方面，为适应VRM功率要求的提高，使用了交错并联技术。交错并联电路拓扑结构原理图如图3所示。

图2肖特基二极管(85CNQ015)与MOSFET(MTP75N03HDL)正向压降比较图

如图3所示的交错式的QSW拓扑自然的消除了输出电流的纹波，而且还保持了QSW拓扑的快速瞬态响应的特性。与单模块的QSW 电压调整模块和传统的电压调整模块相比，它需要比较小的电容。由图3可以看到 和 的波动比较大，而 的波动较小，并且 的波动频率为 和 波动频率的二倍，若每个开关的频率为300KHz，则 的频率就为600 KHz。在两个模块交错的电压调整模块中仅当占空比为0.5时可以完全的消除纹波。而在4模块交错的电压调整模块中纹波在占空比为0.5，0.25，0.75时均能完全的消除。如果占空比不为这些值时，例如占空比为0.3时，在4模块中有80%的纹波被消除。

图3 交错式准方波电流纹波消除原理图

2 均流技术

2.1 一个简单的感应电流网络

为了低电压大电流并行模块系统的应用，就需要用成本低的对寄生参数不敏感的感应电流和均流控制技术。

图4为一个RC开关网络，两个开关与带有同步整流器的Buck变换器一样，以互补的方式开通和关断，当上部的开关 开通时,底部的开关 就关断，此时，输入电压和电容的平均电压差通过电阻R给电容C充电，假设R远远大于 和 。

事实上在稳定阶段电阻R上的平均电压为零，因此通过输出电容的平均电流也为零。如果这个开关网络和带有同步整流器的Buck变换器连接起来，如图5所示Vc能够用来估测电感电流的大小，图中5所示的 为电感的等电阻和分布电阻的和。 和 分别为MOSFET导通电阻。

关键词： 电压 电流 模块 调整 同步 整流 方波 分享 研究 VRM 拓扑