将升压稳压器用在额定电压以上
然后，内部FET导通，V X结点驱动至地，而高压FET的栅极保持恒定，导通高压FET。较低的FET用作一个低电阻栅极驱动器，而FET快速导通，获得了低导通损耗。当内部FET关断时，电感电流拉高SW结点， 直到外接F E T 也关断。内部FET可看到的最高电压是栅极电压减外接FET的阈值电压。
图3，级联FET结构获得了快速的转换和低损耗。这种结构亦能实现更高电压的运行。
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