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　　发光效果取决于接触面

　　一个美国团队将光致发光强度（PLI）作为电容-电压（CV）光谱分析法的辅助技术，用以决定III-V族材料与电介质之间的界面质量。

　　这些界面严重影响着III-V族MOSFET的性能，作为一种可能拓展摩尔定律的器件，了解它的性能极其重要。CV光谱分析法因其复杂性一般广泛用于测量界面态密度。

　　Matthias Passlack曾是前任飞思卡尔在德研究人员，现在正与英国格拉斯哥大学展开合作。他表示，“很不幸，CV或许被普遍误解为非硅半导体的相关技术。相反，PLI数字通译更加直截了当一些”，这是因为激光激发是测量过程中唯一的可变量。

　　利用PLI测量法得到了大量有关界面态密度的实验数据。很显然，这种分析界面质量的方法并不新鲜。早在上个世纪90年代日本北海道大学的Hasegawa小组就用该项技术做过实验；而Passlack也于1994-1995年间在贝尔实验室建立了一些初步的PLI，并于1996-1997年间在摩托罗拉构建了当前的器件结构。

　　Passlack最近发表的论文对一门更为复杂的学科略有陈述，里面对基于GaAs的22种材料展开了研究，包括GdGaO、In2O3和Ga2O3电介质；其中Ga2O3是唯一适合用作器件级界面的电介质。Passlack想用PLI来分析InGaAs MOSFET，并为格拉斯哥大学的Iain Thayne小组提供帮助，为他们建立一个能实现此项测量的实验装置。