新型功率器件MCT关断模型的研究

时间:2011-03-19来源:网络

摘要:介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构,工作原理。详细地探讨了MCT在关断情况下的建模,采用状态空间分析法推导出了MCT的可关断的最大电流与其结构的关系,并利用MATLAB/Simulink仿真证明了结论的正确性。

关键词:MOS控制晶闸管;状态空间分析法;可关断最大电流

 

1 引言

MCT是一种新型MOS/双极复合器件。它是在普通晶闸管中用集成电路工艺制作大量的MOS开关,通过MOS开关的通断来控制晶闸管的开启和关断。所以,MCT既有晶闸管良好的阻断和通态特性,又具有MOS场效应管输入阻抗高,驱动功率低和开关速度快的优点,同时克服了晶闸管速度慢,不能自关断和高压MOS场效应管导通压降大的缺点。由于MCT与IGBT在相同的工作频率下,其关断的控制难度要高,制作工艺更复杂,所以其商业化速度没有IGBT那么快。但是,在牵引和高压DC变换领域中,对大容量,高输入阻抗电力电子器件的迫切需要,激励着对MCT的研究。

本文介绍了MCT的工作原理,并详细地探讨了MCT关断模型,分析其模型动态变化时的稳定性,得出可关断的最大电流与其结构的关系,并利用MATLAB仿真,证明推导结论的正确性。

2 MCT结构与工作特性

2.1 基本结构

MCT可分为P型或N型,对称或不对称关断,单端或双端关断FET门极控制和不同的导通选择(包括光控导通)。所有这些类型都有一个共同特点,即通过关断FET使一个或两个晶闸管的发射极-基极结短路来完成MCT的关断。本文以P型不对称关断MOS门极的MCT为例进行说明。图1是MCT的断面图和等效电路。该等效电路与一般的晶闸管双晶体管模型基本相同,只是加入了导通FET和关断FET。

(a) 断面图

(b) 等效电路图

图1 MCT的断面图和等效电路图

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关键词: 模型 研究 关断 MCT 功率 器件 新型

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