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　　集成电路通常不包括EOS条件保护。充其量，内部ESD保护电路可能会在EOS期间启用，并提供充分保护。但是，设计ESD保护电路并不能保证在所有EOS状态下都提供这种保护。

　　EOS期间建立的电流路径较为复杂，并且有一定的不可预知性，杂散阻抗变大的高频情况下更是如此。图3显示了放大器内几种可能的电流路径例子。ESD输入保护二极管(常为“关闭”)提供了到各个电源和 T1 的直流路径。

　　如果放大器电源不能吸入EOS相关电流，则IC电源引脚电压可能会上升至危险水平。T1为一个ESD吸收器件。ESD期间，T1的功能是在安全水平开启并钳制电源引脚的电压。切记大多数ESD事件都发生在IC处于电路断开时。但是，在电路内EOS期间，T1可能在不经意间开启。此时，T1会在运放电源引脚之间建立起一个低电阻连接。这样，强破坏性电流开始流动，直到T1熔化，从而在放大器电源之间形成短路。前面提到的自加热和破坏均可能发生。上述热量温度可以升高到足以使封装熔化、裂开，如图 2 所示。

　　作为一个主要的设计考虑因素，需要确保经过器件的所有路径均能够安全地经受住 EOS事件期间出现的电流和电压。如果您无法预见这些条件，同时您的IC也不能散出产生的热量，那么电路就可能会被损坏。了解放大器的内部ESD电路，并预测它们在 EOS 事件中的表现，是避免出现这些问题的有效方法。大多数运放厂商均可提供 ESD 电路的相关信息。

关键词： TI 运算放大器 运放 EOS 电气过应力 ESD 201004